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2019-01

硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管，从而提高了静电控制和驱动电流
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08

2018-11

苏州晶湛半导体有限公司参加2018中国集成电路产业促进大会 2018中国集成电路产业促进大会——功率半导体主题研讨会于2018年11月8日上午在重庆顺利召开。研讨会由中国电子信息产业发展研究院主办，超摩尔研究室主任朱邵歆博士主持
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20

2017-09

苏州晶湛半导体有限公司参加2017 SEMICON Taiwan及相关宽禁带论坛 2017SEMICONTaiwan国际半导体展于9/13~9/15在台北南港展览馆举办，本次展会除提供产业技术之外，并透过论坛与研讨会的举办，互相交流，是台湾半导体产业的一项年度盛事...
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17

2016-11

【IFWS 2016】揭开宽禁带半导体电力电子器件产业化序幕以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料已引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点。第三代半导体具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高...
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