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10
2021-06
10000V!氮化镓功率器件击穿电压新纪录
美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心(CPES)和苏州晶湛半导体团队合作攻关,通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片,以及运用pGaN降低表面场技术(p-GaNreducedsurfacefield(RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD),成功实现了超过10kV的超高击穿电压。
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21
2021-04
苏州晶湛半导体发布新型多沟道异质结构外延片产品,提高电力电子系统的转化效率
2021年4月21日,苏州晶湛半导体有限公司发布了新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片产品,在保持高电子迁移率的同时,将载流子浓度提高了4倍以上
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25
2019-03
程凯博士应邀参加工业园区科信局举办的“科技创享汇”
3月25日,由苏州工业园区科技和信息化局主办的“科技创享汇”如期举行
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30
2019-01
硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流
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