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2021-09

晶湛半导体成功突破12英寸硅基氮化镓HEMT外延技术 2021年9月23日，由芜湖市人民政府和SEMI中国共同主办的“化合物半导体制造技术论坛”在安徽省芜湖市成功举办
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2021-06

10000V！氮化镓功率器件击穿电压新纪录美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）和苏州晶湛半导体团队合作攻关，通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片，以及运用pGaN降低表面场技术（p-GaNreducedsurfacefield(RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD)，成功实现了超过10kV的超高击穿电压。
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21

2021-04

苏州晶湛半导体发布新型多沟道异质结构外延片产品，提高电力电子系统的转化效率 2021年4月21日，苏州晶湛半导体有限公司发布了新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片产品，在保持高电子迁移率的同时，将载流子浓度提高了4倍以上
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25

2019-03

程凯博士应邀参加工业园区科信局举办的“科技创享汇” 3月25日，由苏州工业园区科技和信息化局主办的“科技创享汇”如期举行
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