氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件，凭借高工作频率、低损耗和耐高温等优势，正在消费电子快充、数据中心电源、新能源汽车等领域加速渗透。而硅（Si）衬底GaN HEMT路线，融合了GaN的高性能与硅衬底的大尺寸、CMOS兼容优势，已成为当前产业化的主流方向。

由于氮化镓在硅衬底上异质外延存在天然的晶格失配和热失配，外延材料的翘曲、二维电子气密度、缓冲层击穿电压等关键参数精准控制难度极高。过去很长一段时间里，国内产业缺乏统一的国家级技术要求与测试评价标准，不同厂商的产品指标定义、测试方法差异较大，下游器件企业在导入材料时需要反复验证适配，不仅拉高了供应链沟通成本，也直接制约了氮化镓高电子迁移率晶体管功率器件的规模化落地速度。

本次发布的GB/T 48345-2026 国家标准，明确覆盖了150mm、200mm硅衬底氮化镓外延片的相关关键参数要求、试验方法、检验规则、包装、运输、贮存的统一规范，为全产业链提供了可量化、可复现、互相认可的技术标准，从源头保障产品一致性和提升产业链协同效率，为后续氮化镓功率器件的大规模量产扫清了标准层面的核心障碍。

值得注意的是，GB/T 48345-2026 采信了第三代半导体产业技术创新战略联盟此前发布的团体标准T/CASAS 060—2025《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》，该团体标准同样由晶湛半导体牵头制定，已于2025年面向产业发布。从先行先试的团体标准升级为全行业通用的国家标准，体现了晶湛半导体在硅基氮化镓外延材料领域的技术积累、产业化能力和行业影响力。作为硅基氮化镓外延技术的重要推动者，晶湛半导体长期致力于高品质 GaN-on-Si 外延材料的研发与产业化，先后推出150mm、200mm硅基氮化镓外延片产品，持续推动大尺寸硅基氮化镓材料在功率电子等领域的应用。

作为全球范围内率先实现150mm、200mm硅基氮化镓外延片商业化的企业，晶湛半导体长期深耕硅基氮化镓核心技术攻关，产品已进入全球数百家半导体企业与科研机构的供应链，相关创新成果多次在IEDM、Nature Electronics等国际顶级行业平台发布。此次牵头制定国家标准，是企业多年技术积累从“产品输出”向“产业基础设施输出”的关键跨越——不再只是高品质材料的提供者，更成为行业技术规则的重要定义者。